미국 대통령이 최초로 공장 찾아오자 삼성 이재용이 깜짝 공개한 '괴물 반도체'의 정체

대통령실사진기자단

[인사이트] 임우섭 기자 =  이재용 삼성전자 부회장이 사상 최초로 삼성 반도체 공장을 방문한  조 바이든 미국 대통령에게 괴물급 성능의 반도체를 소개했다.

이 부회장이 선보인 반도체는 '비밀병기'라고 불리는 '게이트올어라운드(GAA)'를 적용한 3nm(나노미터) 공정 반도체다.

지난 20일 오후 조 바이든 미국 대통령은 세계 최대 규모 반도체 생산기지인 삼성전자 평택캠퍼스를 방문해 윤석열 대통령과 처음으로 만남을 가졌다.

이날 두 정상은 방명록 대신 반도체 재료인 웨이퍼에 서명을 하면서 '반도체 동맹' 의지를 다지기도 했다.

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이 부회장은 공장을 둘러보던 두 정상에게 삼성의 '비밀병기'라고 불리는 '게이트올어라운드(GAA)'를 적용한 3nm 공정 반도체를 선보였다.

GAA는 반도체 칩의 기본 소자인 트랜지스터를 기존보다 더 작고 빠르게 가동하면서 전력 소모를 줄인 기술이다.

이중 3nm 반도체는 삼성전자가 독자 개발한 GAA 기술 'MBC-FET(Multi Bridge Channel-Field Effect Transistor)'이 적용된 것으로 기존 7nm 핀펫 공정 대비 소비전력이 50%, 공간이 45% 개선됐다.

엄청난 개선 효과에 업계에서는 TSMC에 맞서기 위한 '비밀병기'로 취급되고 있다. 삼성전자는 올 상반기 GAA 기술을 활용한 3nm 반도체를 양산할 계획이다.

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현재 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 기업은 대만의 TSMC다. TSMC와 1위를 두고 미세공정 기술 경쟁을 벌이고 있는 삼성전자는 이번 반도체를 통해 급등을 노리고 있다.

이번 회동에서 반도체 설계 업체 퀄컴 관계자가 바이든 대통령과 같이 방문해 삼성전자가 기술력 우위를 뽐냈다는 해석도 나오고 있다.

한편 두 정상이 방문한 평택캠퍼스는 부지 면적이 축구장 400개를 합친 것과 같을 정도로 큰 규모(289만㎡, 약 87만평)를 자랑하고 있다.

현재 1라인과 2라인만이 가동 중이며 세계 최대 규모의 단일 반도체 생산라인 3라인은 올 하반기부터 가동된다. 생산 규모는 세계 메모리 반도체의 약 15%에 이르며 한 개 라인당 투자 규모는 약 30조원인 것으로 나타났다.