주요 고객사에 48GB 제품 전달...핀당 16Gbps·전력효율 20% 개선
어드밴스드 MR-MUF 적용해 열 저항 17% 낮춰
SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. HBM3와 HBM3E, HBM4로 이어진 고대역폭메모리(HBM) 주도권을 차세대 제품군으로 이어가겠다는 전략이다.
SK하이닉스 HBM4E / 사진제공=SK하이닉스
18일 SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다.
HBM4E는 HBM4의 후속 제품이다. AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 속도와 전력 효율을 끌어올린 점이 특징이다. 이번 제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고, 에너지 효율은 HBM4보다 20% 이상 개선됐다.
최신 인터페이스와 설계 최적화도 적용됐다. 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적으로 동작하도록 제품 완성도를 높였다는 게 회사 측 설명이다. 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템에서 데이터 병목을 줄이는 데 초점이 맞춰졌다.
고객사 검증 들어간 HBM4E
이번 샘플 공급은 SK하이닉스가 HBM4E 고객사 검증 단계에 본격 진입했다는 의미가 있다. HBM 시장의 경쟁축이 HBM3E 양산에서 HBM4와 HBM4E 인증 경쟁으로 옮겨가는 가운데, 고객사별 요구에 맞춘 성능과 공급 안정성이 한층 중요해지고 있다.
SK하이닉스 HBM4E / 사진제공=SK하이닉스
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리다. AI 반도체의 연산 성능이 빠르게 높아질수록 연산장치와 데이터를 주고받는 메모리의 역할도 커진다. 이 때문에 HBM 경쟁은 단순한 속도뿐 아니라 전력 효율, 발열 제어, 수율, 납기까지 함께 평가받는 구조로 바뀌고 있다.
SK하이닉스가 이번에 공급한 HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 갖췄다. 대규모 AI 학습과 추론 환경에서 더 많은 데이터를 빠르게 처리해야 하는 고객사 수요에 대응하기 위한 제품이다.
SK하이닉스는 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 밝혔다.
MR-MUF로 발열 안정성 강화
SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 적층 구조의 안정성을 높이고 열 관리 성능을 개선하는 데 쓰인다.
회사는 HBM4E 12단 제품의 열 저항을 HBM4보다 약 17% 낮췄다고 밝혔다. 고성능 AI 시스템에서는 발열 관리가 메모리 안정성과 직결된다. 데이터 처리 속도가 높아질수록 전력 소모와 열 부담이 커지는 만큼, 패키징 기술 경쟁력도 제품 성능을 좌우하는 핵심 요소로 꼽힌다.
SK하이닉스는 HBM4E에서도 기존 제품군에서 쌓은 품질과 공급 역량을 앞세워 AI 시스템의 병목 해소를 지원한다는 계획이다. 고객사 검증을 거쳐 적기 양산 체제를 갖추는 것이 향후 차세대 HBM 경쟁의 관건이 될 전망이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"고 말했다.
이어 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 덧붙였다.