삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 후속 제품 샘플까지 내보내면서 AI 가속기용 메모리 시장에서 제품 전환 속도를 높이고 있다.
29일 삼성전자는 HBM4E 12단 샘플을 출하했다고 밝혔다. HBM4E는 HBM4 이후 세대 제품으로, 차세대 AI 가속기와 대규모 데이터센터 수요를 겨냥한 제품이다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 이후 수개월 만에 HBM4E 샘플 공급까지 진행하며 고객사 검증과 양산 준비를 병행하는 단계에 들어갔다.
이번 제품에는 1c D램과 4나노 로직 다이가 적용됐다. 1c D램은 10나노급 6세대 공정이다. 삼성전자는 HBM4에 적용한 공정 조합을 HBM4E에도 이어가면서 공정 안정성과 양산성을 높였다고 설명했다. 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 함께 갖춘 사업 구조가 HBM 세대 전환 과정에서 공급 대응력을 높이는 기반으로 작용하고 있다.
삼성전자 HBM4E 12단 제품 / 사진제공=삼성전자
성능 지표도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 핀당 14Gbps 속도로 동작하고, 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB 수준이다. 삼성전자는 전작 HBM4와 비교해 동작 속도가 20% 이상 높아졌다고 밝혔다.
전력 효율과 열 특성도 함께 개선됐다. 삼성전자에 따르면 HBM4E 12단 제품의 에너지 효율은 전작보다 16% 높아졌고, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다. 고속 동작과 저전력 성능을 동시에 요구하는 AI 연산 환경에서 전력 효율과 발열 관리는 고객사 검증의 핵심 항목으로 꼽힌다.
용량은 48GB다. 삼성전자는 고객사 수요에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 계획이다. AI 모델 고도화와 데이터센터 증설로 고용량 HBM 수요가 늘어나는 만큼, 제품군을 세분화해 고객별 요구에 대응하겠다는 전략이다.
삼성전자는 이번 샘플 공급 이후 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 추진한다. HBM 시장은 제품 성능뿐 아니라 고객사 인증, 양산 전환 속도, 안정적인 물량 공급 능력이 함께 요구된다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하 경험과 HBM4E 샘플 공급을 연결해 차세대 제품 공급 일정을 앞당기겠다는 방침이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 진행했다"며 "기술 개발과 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 수요에 대응하겠다"고 말했다.
삼성전자 HBM4E 12단 제품 출하 / 사진제공=삼성전자
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하했다고 밝힌 HBM4 공급도 확대하고 있다. 회사에 따르면 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 입증했다. HBM4와 이번 HBM4E에는 모두 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용됐다.
HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 진행되면서 삼성전자의 HBM 사업은 제품 검증 단계에서 공급 확대 단계로 이동하고 있다. AI 반도체 시장에서 HBM 수요가 빠르게 늘어나는 가운데, 삼성전자는 차세대 제품군과 생산 인프라를 앞세워 고객사 물량 대응에 나선다.
삼성전자 HBM4E 12단 제품 / 사진제공=삼성전자