삼성전자가 미국 새너제이에서 지난 3월 16일부터 오는 19일까지 개최되는 엔비디아 GTC 2025에서 차세대 HBM4E 기술과 Vera Rubin 플랫폼 메모리 토털 솔루션 공급 역량을 선보이며 AI 메모리 시장 리더십을 강화하고 나섰다.

삼성전자는 이번 전시회에서 'HBM4 Hero Wall'을 구성해 메모리부터 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체 기업의 경쟁력을 부각했다. 'Nvidia Gallery'에서는 양사의 전략적 파트너십을 통한 AI 플랫폼 협력 관계를 강조했다.

전시 공간은 AI Factories, Local AI, Physical AI 세 개 존으로 나누어 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다.

사진 제공 = 삼성전자

3월 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사 협력이 단순 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.

삼성전자는 'HBM4 Hero Wall'에서 HBM 기술 리더십을 집중 조명했다. HBM4 양산으로 축적한 1c D램 공정 기반 기술력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 개발 중인 차세대 HBM4E의 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 세계 최초로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

삼성전자는 영상을 통해 기존 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개하며 차세대 HBM 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

Vera Rubin 플랫폼용 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면 배치해 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업만의 토털 솔루션으로 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.

삼성전자는 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

'Nvidia Gallery'에서는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해 양사 협력을 강조했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로, 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 Vera Rubin 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, AI Factories 존에서 제품을 확인할 수 있다.

AI Factory 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속 공급해 나갈 예정이다. 양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것이다.