SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹 완공을 위해 21조원 규모의 대규모 추가 투자를 단행합니다.

25일 SK하이닉스는 이사회를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 5개 추가 구축을 위한 21조6081억원 투자안을 의결했습니다. 투자 실행 기간은 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지로 설정했습니다.

회사는 지난해 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영 부대시설 건설에 9조 4000억 원 투자를 결정한 바 있습니다. 이번 추가 투자를 포함하면 1기 팹 건설 총 투자액은 약 31조 원 규모로 늘어났습니다.

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추가 투자금은 1기 팹 골조 공사 완료와 전체 클린룸 구축에 사용됩니다. 1기 팹은 골조 2개와 클린룸 6개로 구성되며, 클린룸 오픈 시기는 기존 2027년 5월에서 같은 해 2월로 3개월 앞당겨집니다.

용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성됩니다. SK하이닉스는 이 중 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 계획입니다.

국내외 소재·부품·장비 기업 50여 곳과 반도체 협력 단지도 함께 구축하며, 총 600조원 규모의 단계적 투자를 추진합니다.

회사는 지난해 2월 1기 팹 착공에 들어갔으며, 2027년 중 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사 속도를 높이고 있습니다.

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 예상 조감도 / 사진 제공 = SK하이닉스

1기 팹 완공 후에는 나머지 3개 팹을 순차 건설해 용인 클러스터를 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 육성한다는 목표입니다.

SK하이닉스 관계자는 "추가 시설투자비 집행은 회사의 대규모 투자 계획이 본궤도에 올랐음을 보여준다"며 "고객의 중장기 수요 전망과 기술 발전 속도를 종합 반영한 투자로 시장 성장 방향을 예측하고 선도해 나가겠다"고 밝혔습니다.

한편 SK하이닉스는 3월 25일 경기 이천 본사에서 정기주주총회를 개최하고 차선용 미래기술연구원장을 사내이사로 선임할 예정입니다. 차 원장은 D램 개발 전문가로 2022년부터 미래기술연구원을 담당하고 있습니다.