국가 핵심 반도체 기술을 중국으로 유출한 삼성전자 출신 임직원들이 구속기소됐습니다.

23일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자 임직원 출신 A씨 등 5을  부정경쟁방지법 위반 및 산업기술보호법 위반 혐의로 구속기소했다고 밝혔습니다.

중국 창신메모리(CXMT) 개발팀 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속기소됐는데요. CXMT는 중국 지방정부와 중국 반도체 설계회사가 출자해 2016년 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사입니다.

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검찰 수사 결과에 따르면 CXMT는 설립 직후 삼성전자 부장 출신 A씨를 개발실장으로 영입했습니다. A씨는 삼성전자의 독자 기술인 10나노대 D램 공정 기술을 확보하기 위해 공정별 핵심 인력 영입 작업에 착수했습니다. 위장 회사를 설립하고 주기적으로 사무실을 변경하며, 출국금지와 체포에 대비한 암호를 만드는 등 치밀한 계획을 세워 움직인 것으로 드러났습니다.

이 과정에서 삼성전자 연구원 B씨가 D램 공정의 핵심인 PRP(Process Recipe Plan) 정보를 자필로 베껴 적어 CXMT로 이직했는데요. 이를 통해 CXMT는 당시 세계 유일의 10나노대 D램 공정 기술을 통째로 확보할 수 있었습니다.

CXMT는 삼성전자 임직원들을 추가로 영입한 후 본격적인 D램 개발에 나섰습니다. 개발 과정에서는 협력업체를 통해 SK하이닉스의 반도체 공정 관련 기술까지 추가로 확보한 것으로 조사됐습니다.

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CXMT는 한국에서 빼돌린 핵심 반도체 기술들을 바탕으로 2023년 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다. 한국은 수십조원에 달하는 국가적 자산을 이들 '산업 매국노'를 통해 중국에 넘겨준 결과가 됐습니다.

검찰은 "이들의 범행을 통해 한국 기업의 핵심 산업 기술이 유출되고, 막대한 경제적 피해가 발생했다"고 밝혔습니다.

세계 시장 점유율 변화를 근거로 추정한 삼성전자의 2024년 매출액 감소만 5조원에 달합니다.

검찰은 향후 국가 경제 전반에 미칠 악영향을 모두 합하면 피해액이 최소 수십조원에 달할 것으로 추산한다고 발표했습니다.