국내 반도체 기술 유출 사건, 전 삼성전자 부장에게 징역 6년 선고

국내 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁기업으로 유출한 혐의를 받은 전직 삼성전자 부장이 항소심에서 징역 6년을 선고받았습니다.

서울고법 형사8부(김성수 부장판사)는 23일 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 기소된 전 삼성전자 부장 김모씨에게 징역 6년과 벌금 2억 원을 선고했는데요. 이는 1심에서 선고된 징역 7년보다 1년 감형된 결과입니다.

사진=인사이트

재판부는 이번 판결에서 검찰과 나머지 피고인들의 항소를 모두 기각하고, 다른 공범들에 대해서는 1심과 동일한 형을 유지했습니다.

협력업체 전 부장 방모씨에게는 징역 2년 6개월, 또 다른 협력업체 직원에게는 징역 1년 6개월이 선고되었습니다.

나머지 협력업체 직원 2명에게는 각각 징역 2년에 집행유예 3년, 징역 10개월에 집행유예 2년을 선고하고 사회봉사를 명령했습니다.

반도체 기술 유출의 심각성과 감형 이유

재판부는 "피해 회사들에 막대한 피해가 유발될 수밖에 없고, 국가에도 악영향을 주는 중대한 범죄를 저지르고 그 범행을 주도했다"며 "피해 회복 가능성도 없어 이에 상응하는 엄한 처벌이 필요하다"고 판단했습니다. 

핵심 반도체 기술을 중국 업체에 넘긴 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장 김모 씨와 관계사 전 직원 방모 씨가 지난 2023년 12월 15일 오후 서울 서초구 서울중앙지방법원에서 열린 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에 출석하고 있는 모습 / 뉴스1

그러나 김씨가 범죄 전력이 없고, 국내 재취업이 어려워 중국 기업에 취업하는 과정에서 범행에 이른 점, 그리고 핵심 기술 유출에는 직접 관여하지 않은 점 등을 고려해 1심보다 낮은 형을 선고했다고 밝혔습니다.

김씨는 삼성전자 기술팀 부장 출신으로, 중국 자본으로 설립된 A사의 부사장이었습니다.

김씨와 공범들은 2022년 2월부터 9월까지 각자 근무하던 회사 세 곳에서 반도체 증착 장비 설계 기술 자료를 불법적으로 유출해 A사의 반도체 장비 제작에 활용한 혐의를 받고 있습니다.

특히 김씨는 반도체 D램 핵심 제작 설비인 원자층증착장비(ALD)를 개발한 중국 회사가 없다는 점을 이용해 중국 태양광 회사의 투자를 받아 A사를 설립한 것으로 조사되었습니다.

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이들이 유출한 기술 자료는 수만 건에 달하며, 피해 기술 자료의 개발 비용은 총 736억 원에 이르는 것으로 알려졌습니다.

국가정보원은 이러한 기술 유출 정황을 포착하여 2023년 5월 검찰에 수사를 의뢰했으며, 검찰은 김씨 등 3명을 우선 구속기소한 후 추가 수사를 통해 다른 관련자들도 함께 재판에 넘겼습니다.