엔비디아 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자와의 반도체 협력에 대해 공개적으로 감사 인사를 표했다.

지난 16일(현지시간) 황 CEO는 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 개최된 엔비디아 인공지능(AI) 콘퍼런스 'GTC 2026' 기조연설에서 "삼성에게 정말 감사드린다"고 말했다.

그는 추론 전용 칩을 발표하면서 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"고 발표했다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자 / 뉴스1

그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽처리장치(GPU)와 함께 작동해 AI 추론 성능과 효율성을 향상시키는 칩이다.

황 CEO는 이 칩이 엔비디아 차세대 AI 칩 '베라 루빈' 시스템에 포함될 예정이며 "올해 하반기, 아마 3분기쯤 출하가 시작될 것"이라고 밝혔다.

황 CEO의 이번 발언을 통해 해당 칩이 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 제조되고 있음이 공식 확인됐다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자 / 뉴스1

삼성전자는 이날 GTC 행사장에서 엔비디아 차세대 GPU에 적용될 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4E' 실제 칩과 적층용 '코어 다이' 웨이퍼를 최초로 전시했다. 파운드리와 메모리 양 부문에서 엔비디아와의 협력 관계를 부각시킨 것이다.

HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 제공할 계획이다. 이는 지난달 양산을 개시한 6세대 HBM4의 13Gbps 전송 속도와 3.3TB/s 대역폭을 상회하는 성능이다.

삼성전자는 HBM4 양산으로 확보한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기술과 4㎚(나노미터) 베이스 다이 설계 기술을 활용해 HBM4E 샘플을 올 하반기 공급할 예정이다.

삼성전자가 HBM4 양산 직후 HBM4E를 발표한 것은 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁업체와의 기술 차별화를 강조하려는 의도로 해석된다.

삼성전자가 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다고 17일 밝혔다. 사진은 엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. 왼쪽부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장. (삼성전제 제공. 재판매 및 DB 금지) 2026.3.17/뉴스1

삼성전자는 전시 공간에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 설치해 종합반도체기업(IDM)으로서의 역량을 어필했다.

열과 압력으로 칩을 결합하는 열압착접합(TCB) 대비 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층을 가능하게 하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.

17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 GTC에서 엔비디아 특별 초청 발표자로 참여해 엔비디아 AI 인프라 혁신을 뒷받침하는 삼성전자 메모리의 '토털 설루션' 비전을 발표한다.