삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 6세대인 HBM4의 양산과 출하를 세계 최초로 시작했습니다.

지난 12일 삼성전자에 따르면 회사는 이날 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나섰습니다.

글로벌 D램 3대 업체인 SK하이닉스와 마이크론보다 앞서 최신 인공지능(AI) 칩용 메모리 반도체를 대량 생산에 돌입한 것입니다.

HBM4는 올해 출시될 예정인 엔비디아의 '루빈'과 AMD의 'MI450' 등 AI 칩에 탑재되는 차세대 핵심 메모리입니다.

사진 제공 = 삼성전자

삼성전자는 이번 HBM4 제품에 회로 선폭 10nm(나노미터·1나노미터는 10억분의 1m)급의 6세대 D램 미세 공정(1c)을 적용했다고 밝혔습니다. 이는 5세대 공정(1b)을 사용하는 SK하이닉스보다 한 세대 앞선 기술입니다.

반도체 공정이 미세해질수록 집적도가 향상되어 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율성이 개선됩니다. 하지만 동시에 수율(정상품 비율) 관리 난이도가 높아지는데, 삼성전자의 양산 출하 발표는 시장의 기술적 우려를 해소했다는 분석이 제기됩니다.

삼성전자는 HBM의 제어 역할을 담당하는 '베이스 다이(기판)'에도 성능과 전력 효율성이 우수한 4나노 공정을 도입했다고 설명했습니다.

이를 통해 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 초당 8기가비트(Gb)보다 46% 향상된 초당 11.7Gb의 동작 속도를 안정적으로 달성했다고 강조했습니다.

사진 제공 = 삼성전자

삼성전자는 "올해 HBM 매출이 작년 대비 3배 이상 성장할 것"이라고 전망하며, 올 하반기(7∼12월)에는 HBM 7세대(HBM4E) 샘플 출하도 진행하겠다고 밝혔습니다.

내년부터는 고객 맞춤형 HBM 제품도 출시할 계획입니다. 또한 2028년 가동 예정인 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용하겠다고 발표했습니다.

이번 HBM4 양산 출하로 삼성전자가 주요 빅테크 고객사들로부터 기술력을 인정받는 데 성공했다는 평가가 나옵니다.

당초 설 연휴 이후로 예정되었던 출하 일정이 설 전으로 앞당겨진 것도 엔비디아 등 고객사의 요청에 따른 것으로 전해집니다.

사진 제공 = 삼성전자